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一种半导体集成电路制造方法，采用脉冲等离子体进行刻蚀，通过周期性的施加脉冲功率以产生等离子体，由于具有比连续波等离子体更低的电子温度和等离子体密度，使得等离子体损伤被大大地降低，极大的避免si?recess的形成；同时，也可以采用连续波与脉...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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