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本发明提供了用于使用独立光源的晶片温度测量的方法和设备。在蚀刻处理期间测量衬底温度的设备包括：形成在衬底支撑表面中的一个或多个窗口；被构造为脉冲产生第一信号的第一信号发生器；以及定位为接收从第一信号发生器透射穿过一个或多个窗口的能量的第一传...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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