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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底被划分成限定在第一方向上的单元区和外围电路区，其中，外围电路区被划分成限定在与第一方向实质正交的第二方向上的第一区和第二区；栅极线，所述栅极线被形成在单元区...
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