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本发明公开了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成沿与第一方向相交叉的第二方向延伸的选择线，其中，半导体衬底具有被隔离层分隔开并沿第一方向延伸的有源区；通过在选择线之间分别将第一杂质注入到有源区中而...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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