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通过掩膜层（31）中的开口（OP）将第一导电类型的杂质注入到碳化硅衬底（90）上。分别形成由第一和第二材料制成的第一和第二膜（32，33）。在各向异性蚀刻过程中感测对第一材料执行的蚀刻，且随后停止各向异性蚀刻。通过由第一和第二膜（32，33...
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