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披露了一种单片三维NAND串以及制造方法。所述串的通道（1）可以是垂直的或V形。该通道的芯填充有绝缘体。控制栅极（3）相对于中介电介质层凹入。电荷存储区域（9）以及阻挡块（7）形成于该凹入部中。屏蔽翼（12）可在控制栅极之后形成。...
该专利属于桑迪士克科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技股份有限公司授权不得商用。

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