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结晶锗的等离子体增强化学气相沉积制造技术
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文档序号:8391033
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在沉积结晶锗层于基板上的方法中,基板放置在处理区中,所述处理区包含一对处理电极。在沉积阶段,将结晶锗层沉积在所述基板上是通过以下步骤:将包含含锗气体的沉积气体导入所述处理区,以及,藉由将能量耦合所述处理电极而形成所述沉积气体的电容式耦合等离...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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