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本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于Ga...
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