【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，所述方法能够得到具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。
技术介绍
GaN基膜适合用作半导体器件如发光器件和电子器件中的衬底和半导体层。从衬底与GaN基膜之间的晶格常数和热膨胀系数的匹配或基本匹配考虑，作为用于制造这种GaN基膜的衬底，GaN衬底是最好的。然而，GaN衬底非常贵，且难以获得主表面的直径超过2英寸的具有大直径的GaN衬底。因此，通常将蓝宝石衬底用作用于形成GaN基膜的衬底。蓝宝石衬底和GaN晶体在晶格常数和热膨胀系数方面相互明显不同。因此，为了缓和蓝宝石衬底与GaN晶体之间的晶格常数的不匹配并生长具有良好结晶性的GaN晶体，例如，日本特开平04-297023号公报公开了，在蓝宝石衬底上形成GaN缓冲层并在所述蓝宝石衬底上生长GaN晶体中在所述GaN缓冲层上生长GaN晶体层。另外，为了通过使用具有接近于GaN晶体的热膨胀系数的衬底而得到翘曲较小的GaN膜，例如，日本特表2007-523472号公报公开了具有一对或多对层的复合支持衬底，所述一对或多对层具有与位于其间的中心层基本相同的热膨胀系数并具有与GaN晶体的热膨胀系数基本相同的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤一成，关裕纪，上松康二，山本喜之，松原秀树，藤原伸介，吉村雅司，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：
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