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裂缝停止结构制造技术
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文档序号:8388800
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本发明公开了一种具有裂缝停止结构的半导体结构。半导体结构包含底材、集成电路与切割道。底材具有切割道区与电路区。集成电路设置在电路区中。切割道设置在切割道区中并包含位在底材中且邻近电路区的裂缝停止沟槽。裂缝停止沟槽与电路区的一侧平行并填有栅格...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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