温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种改善多晶硅耗尽的方法以及MOS晶体管。根据本发明的改善多晶硅耗尽的方法包括：第一步骤：在衬底上形成多个MOS晶体管，所述MOS晶体管包括形成在衬底中的源漏区域以及形成在衬底表面的多晶硅栅极结构；第二步骤:在上述多个MOS晶体...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。