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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:8388769
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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:衬底;在衬底上形成的鳍片,所述鳍片通过半导体层接于所述衬底;以及跨于所述鳍片上的栅堆叠,其中,所述鳍片和所述半导体层具有不同的材料,且两者相对于彼此具有刻蚀选择性。根据本发明的实施例...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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