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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括设置有第一驱动晶体管的第一驱动晶体管区和设置有第二驱动晶体管的第二驱动晶体管区，其中，采用比所述第一驱动晶体管低的电压来驱动所述第二驱动晶体管；第一栅...
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