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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：SOI晶片，其包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；在SOI晶片中形成的相邻的MOSFET，每个所述MOSFET包括形...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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