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垂直双栅极电路结构制造技术
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文档序号:8387939
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本发明公开了一种垂直双栅极电路结构,包含:具有一凹槽的一半导体基板;置于该凹槽表面的一第一绝缘层;置于该凹槽下半部的一底部导体,该底部导体通过多个长垂直导体柱连接至一外接偏压;置于该凹槽上半部的一顶部导体,该顶部导体连接至多个短垂直导体柱,...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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