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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区与电阻。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第三掺杂区具有第一导电型。第一掺杂区与第三掺杂区是通过第二掺杂区互相分开。...
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