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本发明公开一种通过形成加压的背面介电层控制器件性能。一种器件，包括：p型金属氧化物半导体(PMOS)器件和n型金属氧化物半导体(NMOS)器件，位于半导体衬底的前面。第一介电层被设置在半导体衬底的背面上。第一介电层将第一应力类型的第一应力施...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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