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本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成介质层和伪栅层；对所述伪栅层进行掺杂并退火；对所述伪栅层进行图形化，并形成伪栅，所述伪栅的顶部截面大于所述伪栅的底部截面；形成侧墙、源/漏区；沉积层间介质...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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