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本发明提供一种成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置、及半导体装置。半导体装置包括场效应晶体管、及具有柱状形状的电容器，其中，该半导体装置还包括：第1电极，其与上述场效应晶体管的杂质扩散区域电连接且具有柱状形状；电介质膜，...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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