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本发明公开了一种发射辐射的半导体器件,具有芯片连接区(3),发射辐射的半导体芯片(1),以及光吸收材料(4),其中发射辐射的半导体芯片(1)固定在芯片连接区(3)处,芯片连接区(3)在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片(1)覆盖的位置...该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种发射辐射的半导体器件,具有芯片连接区(3),发射辐射的半导体芯片(1),以及光吸收材料(4),其中发射辐射的半导体芯片(1)固定在芯片连接区(3)处,芯片连接区(3)在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片(1)覆盖的位置...