发射辐射的半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种发射辐射的半导体器件，具有芯片连接区（3），发射辐射的半导体芯片（1），以及光吸收材料（4），其中发射辐射的半导体芯片（1）固定在芯片连接区（3）处，芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片（1）覆盖的位置处用该光吸收材料（4）覆盖，以及发射辐射的半导体芯片（1）局部地没有光吸收材料（4）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发射辐射的半导体器件说明了一种发射辐射的半导体器件。要解决的任务在于，说明一种发射辐射的半导体器件，其特别是可以多侧地被使用。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件包括芯片连接区。该芯片连接区是被设置用于在芯片连接区上安装至少一个发射辐射的半导体芯片的区域。例如，芯片连接区用金属化结构或金属体构成。尤其是，芯片连接区具有比发射辐射的半导体器件的围绕所述芯片连接区的区域大的对于可见光的反射性。按照一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括发射辐射的半导体芯片。发射辐射的半导体芯片是在运行中发射在红外辐射和UV辐射之间的波长范围中的电磁辐射的半 导体芯片。发射辐射的半导体芯片在运行中例如辐射出可见光。发射辐射的半导体芯片例如是辉光二极管芯片，也即是激光二极管芯片或发光二极管芯片。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括光吸收材料。光吸收材料被设置用于吸收在可见范围中投射到该光吸收材料上的电磁辐射的至少一部分。在可见范围中的、射到光吸收材料的外面上的光的最高25%例如被反射或再发射。优选在可见范围中投射的光的最高15%、特别优选最高5%被返回投射。光吸收材料例如被构造为黑色的。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体芯片固定在芯片连接区处。发射辐射的半导体芯片在此也可以在芯片连接区处电接触。此外可能的是，在芯片连接区上固定多个发射辐射的半导体芯片。芯片连接区的基面优选被如此选择，使得所述一个发射辐射的半导体芯片或多个发射辐射的半导体芯片总地具有小于基面的横截面，从而该一个或多个发射辐射的半导体芯片不完全覆盖芯片连接区。这尤其是被证明为有利的，因为通过这种方式可以以一定的容差将发射辐射的半导体芯片放置在芯片连接区上。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，芯片连接区在其未被发射辐射的半导体芯片掩盖的位置处用光吸收材料覆盖。也即，芯片连接区的由于发射辐射的半导体芯片没有覆盖它们而会暴露的区域部分或完全地用光吸收材料覆盖。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体芯片局部地没有光吸收材料。也即，发射辐射的半导体芯片不是完全被光吸收材料覆盖，而是例如至少发射辐射的半导体芯片的背离芯片连接区的表面保持完全或部分无光吸收材料。例如，光吸收材料在发射辐射的半导体芯片的侧面可以直接与其邻接。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括芯片连接区、固定在芯片连接区处的发射辐射的半导体芯片和光吸收材料，该光吸收材料在芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片掩盖的位置处覆盖芯片连接区，其中发射辐射的半导体芯片局部地没有光吸收材料。尤其可能的是，在芯片被固定在芯片连接区处之后，光吸收材料被施加到芯片连接区上。例如芯片的侧面因此可以被光吸收材料覆盖。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括导线连接区。该导线连接区例如用金属化结构或金属体构成。尤其是，导线连接区通过其对可见光的较高反射性而与围绕其的材料区别开。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括导线，其将导线连接区与发射辐射的半导体芯片导电连接。例如发射辐射的半导体芯片于是一方面通过芯片连接区并且另一方面通过该导线被导电接触。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，导线连接区在其没有被导线掩盖的位置处用光吸收材料覆盖。也即，例如，导线连接区的在无光吸收材料情况下自由可达的并且反射光的光反射区用光吸收材料覆盖。在此，可能的是，导线的部分也用光吸收材料覆盖。在极端情况下，整个导线可以用光吸收材料覆盖。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括唯一的芯片连接区、唯一的发射辐射的半导体芯片和唯一的导线连接区。发射辐射的半导体芯片于是可以是例如发射红外辐射、彩色可见光或白光的发射辐射的半导体芯片。 按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括两个芯片连接区、一个唯一的发射辐射的半导体芯片并且不包括导线连接区。发射辐射的半导体芯片于是可以是例如发射红外辐射、有色可见光或白光的发射辐射的半导体芯片。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括至少两个发射辐射的半导体芯片。发射辐射的半导体器件于是例如可以是包括发射红光的半导体芯片、发射蓝光的半导体芯片和发射绿光的半导体芯片的半导体器件。每个半导体芯片可以借助各两个芯片连接区或各两个导线连接区或借助各两个芯片连接区和导线连接区被电接触。与发射辐射的半导体器件包括多少芯片连接区、发射辐射的半导体芯片和导线连接区无关地，现有的导线连接区和芯片连接区在其没有被半导体器件的其它组件掩盖的位置处用光吸收材料覆盖。在此，光吸收材料可以有针对性地被施加在其遮盖连接区的地方。此外可能的是，光吸收材料被平面地施加，使得其例如在发射辐射的半导体器件中作为覆盖连接区的所有暴露的位置的唯一连贯体而存在。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括具有芯片安装面的壳体。该壳体例如可以具有空腔，在空腔中布置至少一个发射辐射的半导体芯片。壳体的芯片安装面于是通过该空腔的芯片安装面构成。但是也可能的是，壳体是方形板，其没有在其中布置有发射辐射的半导体芯片的凹口或空腔。在极端情况下，壳体可以是电路板，在该电路板中壳体的芯片安装面被布置在也安装了发射辐射的半导体芯片的侧处。芯片连接区和/或导线连接区在该实施方式中被布置在壳体的芯片安装面处。在此，芯片安装面局部地没有光吸收材料。换句话说，在该实施方式中，不是整个芯片安装面用光吸收材料覆盖，而是例如仅仅在其上出现光的提高的反射的这样的位置处、例如在芯片连接区中和/或在导线连接区中布置光吸收材料。通过这种方式，需要相对少的光吸收材料。例如构成芯片连接区和导线连接区的一种金属或多种金属用光吸收材料遮盖。芯片安装面的其余部分于是没有光吸收材料。例如，芯片安装面的至少50%百分比没有光吸收材料。在此尤其可能的是，芯片安装面用相同颜色构造或以与光吸收材料类似的颜色构造。在此整个壳体也可以具有相同的颜色或与光吸收材料类似的颜色。对半导体器件看上去，该半导体器件于是除了半导体芯片的辐射出射面之外看上去是一致的颜色。不存在例如由在芯片安装面处的金属化结构引起的干扰反射，该干扰反射可能干扰对半导体芯片的对比度。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，芯片安装面完全被光吸收材料覆盖。也即，尤其是也在与芯片连接区和/或导线连接区隔有距离的芯片安装面区域上存在光吸收材料。在该实施方式中，光吸收材料的施加特别简单，因为光吸收材料不必有针对性地在连接区的区域中被沉积。按照发射辐射的半导体器件的至少一个实施方式，发射辐射的半导体器件包括可透光的浇注材料。该可透光的浇注材料基本上没有光吸收材料。在此,光吸收浇注材料可以被构造为透明的。此外，可能的是，可透光的浇注材料用发光材料和/或用漫射体填充。发光材料例如可以是发光转换材料的颗粒，该发光转换材料例如吸收蓝光或UV辐射并且 再发射具有较大波长的辐射。漫射体材料例如可以是尤其陶瓷材料的适于光散射的颗粒。浇注材料基本上无光吸收材料意味着，光吸收材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.24 DE 102010012602.01.发射辐射的半导体器件，具有 一芯片连接区(3)， 一发射辐射的半导体芯片(I)， 一以及光吸收材料(4)，其中 一发射辐射的半导体芯片(I)固定在芯片连接区(3)处， 一芯片连接区(3)在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片(I)掩盖的位置处用光吸收材料(4)覆盖，以及 一发射辐射的半导体芯片(I)局部地没有光吸收材料(4)。2.根据上述权利要求所述的发射辐射的半导体器件，具有 一具有芯片安装面(IOa)的壳体(10)，其中 一芯片连接区(3)和/或导线连接区(2)被布置在芯片安装面(IOa)处，以及 一芯片安装面(IOa)局部地没有光吸收材料(4)。3.根据上述权利要求所述的发射辐射的半导体器件，其中，芯片安装面(IOa)以与光吸收材料(4)相同的颜色或以类似的颜色构造。4.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的半导体器件，具有 一导线连接区(2)，以及 一导线(12)，其将导线连接区(2)与发射辐射的半导体芯片(I)导电连接，其中 一导线连接区(2)在其没有被导线(12)掩盖的位置处用光吸收材料(4)覆盖。5.根据权利要求之一I或4所述的发射辐射的半导体器件，具有 一具有芯片安装面(IOa)的壳体(10)，其中 一芯片连接区(3)和/或导线连接区(2)被布置在芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：M维特曼恩，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：
国别省市：