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本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种非对称波导1060nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，在衬底上，为N型GaAs材料；一N型下限制层，在缓冲层上，为...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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