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本发明提供了一种对准标记及其制造方法，其在层间介质层内形成接触孔的同时，还在层间介质层中对应隔离结构的位置形成沟槽，且沟槽的深度延伸至隔离结构内，因此增大了沟槽的深度，因而后续形成在沟槽内的金属层表面所形成的凹坑深度更大，使在后续微影工艺中...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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