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一种以吡咯环为亲水头基的Gemini表面活性剂及其制备方法技术
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下载一种以吡咯环为亲水头基的Gemini表面活性剂及其制备方法的技术资料
文档序号:8362594
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本发明公开了一种以吡咯环为亲水头基的阳离子Gemini表面活性剂。本发明还涉及该表面活性剂的制备方法,具体为:将吡咯烷与长链烷烃在N2保护、催化剂作用下生成N-烷基吡咯烷,然后将得到的N-烷基吡咯烷与二溴烷烃反应得到以吡咯环为亲水头基的阳离...
该专利属于武汉大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉大学授权不得商用。
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