下载具有增强的离子化和RF功率耦合的低电阻率钨PVD的技术资料

文档序号:8349606

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本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层,该基板具有源极区与漏极区,并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。

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