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本发明涉及一种三氯氢硅红外透过光谱分析制样方法及制样样品池，属于材料检测领域。该方法是设计一三氯氢硅红外透过光谱分析制样样品池，利用该样品池实现三氯氢硅红外透过光谱分析制样方法，采用红外透过光谱分析法对三氯氢硅进行定性分析与检测。所述样品池...该专利属于四川大学;东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学;东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司授权不得商用。