温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种高速电流模式逻辑到互补金属氧化物半导体信号转换电路，包括：第一差分单元，第二差分单元和输出单元，其中，设有一电阻与第一反相器并联。第一差分管M1和第二差分管M2为NMOS管，第三差分管M3和第四差分管M4为PMOS管。本发明...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。