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本发明公开了一种双应力薄膜的制造方法以及半导体器件，采用含氮气体沉积碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜为压应力薄膜，并采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行原位等离子体处理，减少了碳化硅薄膜中的氮的含量，避免后续光刻工艺中光阻失效而导致曝光效率的下降，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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