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一种可寻址纳米尺度分子结制备方法，属于纳米材料微细加工及纳米电子器件测试领域。本发明的方法为：首先清洗压电陶瓷基片；在压电陶瓷基片上制备绝缘层薄膜并在中间位置获得微纳米尺度条状凸起；在绝缘层薄膜上制备狭颈状Au电极膜层；将压电陶瓷基片放置在...
该专利属于东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北大学授权不得商用。

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