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本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI?MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1；在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；顶部硅膜（7）；在顶部硅膜（7）上生长栅氧化层（8）；一个位...
该专利属于哈尔滨工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。

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