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提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括设置在器件有源区并在朝向第一侧的方向上变宽的源电极、与源电极交替布置在器件有源区并在朝向面对第一侧的第二侧的方向上变宽的漏电极、设置在源电极和漏电极上并被配置为包括接触源电极和漏电极的多个通路接...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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