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本发明提供一种半导体集成电路。减轻保护元件与保护环区域之间的薄弱点被破坏的危险性。半导体集成电路为了形成静电保护电路的保护元件（Mn2），具备第1导电类型的半导体区域（P-Well）、第2导电类型的第1杂质区域（N）、以及由第1导电类型的第...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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