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本发明提供的是一种利用牺牲层的SOI?MOSFET体接触形成方法。包括在底层半导体衬底（1）上淀积隐埋SiO2层（2），在隐埋SiO2层（2）上淀积SiGe掩蔽膜（3）；第一次刻蚀露出隐埋SiO2层（2）；第二次刻蚀保留SiGe掩蔽膜（3）...
该专利属于哈尔滨工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。

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