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一种非易失性存储器设备（200）包括至少一个无结晶体管及一个存储区。无结晶体管是薄膜晶体管（TFT），并且包括有两个维度小于100纳米的无结、重掺杂的半导体沟道（204）。存储器设备可以是NAND快闪存储器或电阻-切换存储器。存储器单元可以...
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