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本发明是有关于一种记忆体结构，其区分为记忆胞区与非记忆胞区，且包括：多个记忆胞以及导体材料。多个记忆胞设置于记忆胞区中，且在此些记忆胞中具有多个第一凹部。导体材料跨越记忆胞区与非记忆胞区并覆盖记忆胞且深入多个第一凹部。藉此，本发明的记忆体结...
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