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CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法。本发明涉及集成电路制造，并且更具体地来说，涉及金属栅极结构。一种CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底、N-金属栅电极以及P-金属栅电极。该衬底包括包围着P-有源区域和N-有源区域的隔离区域。该...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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