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一种应用于测量等离子体损伤的带有金属天线结构的MOS电容，包括电极天线、绝缘材料、通孔、多晶硅、栅极和硅衬底。该结构的特性在于一个插指状和方块形状的天线均通过通孔与MOS电容的多晶硅电极相连，可以用来收集轰击到天线上的电子和离子。可以通过测...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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