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本发明提供了一种改善双栅CMOS多晶硅耗尽的方法以及双栅CMOS。提供初始结构，初始结构包括半导体衬底，半导体衬底包括nFET器件区域和pFET器件区域，初始结构还包括在nFET器件区域和pFET器件区域中衬底顶部上的自底部向顶部布置的栅极...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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