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本发明涉及等离子体处理方法及等离子体灰化装置,目的是提供在具有Low-k膜的试样的等离子体灰化处理中，边高速进行灰化处理，边抑制或减少对Low-k膜的膜损伤的处理方法。在对具有Low-k膜(15)的试样进行等离子体处理的等离子体处理方法中，...该专利属于株式会社日立高新技术;株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立高新技术;株式会社日立国际电气授权不得商用。