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本发明的名称是“具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件”。描述了一种半导体器件，其包括栅电介质和包含铝化物的金属栅电极。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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