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本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，具体的说，是一种在P型硅硅片上制备新型高效，低成本，大面积PN结的方法。本发明结合管式扩散炉和隧道炉的优点，创新式地在涂覆工艺之后，扩散之前添加一道预热处理工艺，将扩散源先固化在硅片上，再将硅片水平装入装片盒...
该专利属于常州大学所有，仅供学习研究参考，未经过常州大学授权不得商用。

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