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本发明提供了一种纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法，包括：向器件施加第一频率的交流测试信号，确定器件在第一频率下的第一阻抗矢量包括幅值与相角；向器件施加第二频率的交流测试信号，确定器件在第二频率下的第二阻抗矢量包括幅值与相角；通过第一频率、...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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