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本发明大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical?vapor?deposition;CVD)系统，其具有能够处理多个基板的一处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为一水平居中...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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