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本发明涉及一种抑制了半导体单晶中的缺陷产生的制造半导体单晶的方法。该制造方法包括：在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液接触...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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