制造半导体单晶的方法技术

本发明专利技术涉及一种抑制了半导体单晶中的缺陷产生的制造半导体单晶的方法。该制造方法包括：在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液接触以在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤；在所述生长容器(10)的内部和布置在所述底部的晶种(20)上方形成原料熔融液(34)的步骤；以及从所述晶种(20)侧固化所述原料熔融液(34)以生长半导体单晶的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。特别地，本专利技术涉及抑制了半导体单晶中的缺陷产生的。
技术介绍
常规地，已经提出了各种生长方法以作为生长半导体单晶如包括GaAs、GaP、GaSb、InP、InAs和InSb的III-V族化合物半导体单晶以及包括CdTe、CdMnTe, CdZnTe, HgCdTe,ZnSe, ZnSSe等的II-VI族化合物半导体单晶的方法。生长半导体单晶的典型方法包括丘克拉斯基法(Czochralski method)、水平布里奇曼法(horizontal Bridgman method)以及垂直舟皿法(vertical boat method)如垂直 布里奇曼法(VB法)和垂直梯度凝固法(VGF法)。生长半导体单晶的这些方法包括在坩埚中放置晶种和原料熔融液的步骤，和从晶种侧固化该原料熔融液以生长半导体单晶的步骤。在上述中，为了防止作为挥发性成分的第V族和第VI族从生长的半导体单晶中逸出，通常使用密封剂。关于密封剂，氧化硼(B2O3)是公知的，例如如专利文献I (日本特开平6-219900号公报)中所述。然而，在当生长掺杂型半导体单晶如包含硅(Si)作为掺杂剂的半导体单晶时将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱田隆，川濑智博，羽木良明，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：