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本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状...
该专利属于浜松光子学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过浜松光子学株式会社授权不得商用。

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