专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
三星电子株式会社
>
薄膜晶体管及其制造方法技术
>技术资料下载
下载薄膜晶体管及其制造方法的技术资料
文档序号:8162656
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、栅绝缘层、源电极、漏电极和石墨烯层。半导体层与栅电极交叠。栅绝缘层设置在栅电极与半导体层之间。源电极与半导体层交叠。漏电极与半导体层交叠。漏电极与源电极间隔开。石墨烯图案...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。