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本发明提供了一种基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM结构及其制备方法，有效增大了体区与埋层N型阱之间、体区与源区之间的孔穴势垒，从而有效增大1T-DRAM单元的体电势的变化范围，进而有效增大其阈值电压的变化范围，使得读出的信号电流变大，即增...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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