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一种铁氧体基底薄膜电路的高效率光刻制作方法,步骤如下:(1)根据预期制备的器件需要选择合适的铁氧体基底材料,并对基底进行金属化、清洗、干燥;(2)将清洗干净的镀有金属膜层的铁氧体基底多次反复涂胶烘焙,使得铁氧体基片上得到一层均匀、致密、对底...
该专利属于中国电子科技集团公司第九研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第九研究所授权不得商用。

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