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一种半导体器件的形成方法以及VDMOS晶体管的形成方法，所述半导体器件的形成方法包括提供衬底以及位于衬底上的介质层；在所述介质层表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，同时形成沟槽图形和位于沟槽图形两侧的通孔图形；以光刻胶层为掩模，沿...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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